این ترانزیستور یک MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : 10N60C
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.7 اهم
۵۱,۷۰۰ تومان
این ماسفت N-channel با سرعت بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای مختلف مانند مبدلهای DC-DC و درایوهای موتور استفاده میشود.
دیتاشیت : K2953
ولتاژ درین – سورس: 600 ولت
جریان درین: 15 آمپر (مداوم) ، 60 آمپر (پالسی)
مقاومت درین – سورس (RDS(on)) : 0.31 اهم
این ترانزیستور یک ماسفت N-Channel است که برای کاربردهای مختلف الکترونیکی و قدرتی استفاده میشود. این قطعه به دلیل مقاومت کم و سرعت سوئیچینگ بالا، در مدارهای قدرتی و صنعتی بسیار محبوب است.
دیتاشیت : IRF540N
حداکثر ولتاژ درین – سورس (Vds) : 100 ولت
حداکثر جریان درین (Id) : 33 آمپر
توان مصرفی: 130 وات
دمای کاری: 55- تا 175 درجه سانتیگراد
این ترانزیستور یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق) با سرعت بالا است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند مبدلهای خورشیدی و UPS استفاده میشود.
دیتاشیت : K40EH5A
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان کلکتور: 40 آمپر
دمای پیوند حداکثر: 175 درجه سانتیگراد
سرعت سوئیچینگ بالا
این ترانزیستور یک ترانزیستور MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : PJD50N10AL
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 100 ولت
جریان درین (Id) : 50 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.022 اهم
پکیج : DPAK