این ترانزیستور یک MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : 10N60C
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.7 اهم
۵۱,۷۰۰ تومان
این ماسفت N-Channel با ولتاژ شکست 60 ولت و جریان مداوم 40 آمپر است. این ماسفت دارای مقاومت در حالت روشن (RDS(on)) پایین و سرعت سوئیچینگ بالا است.
دیتاشیت : PJQ5866A
مقاومت در حالت روشن: 13 تا 20 میلیاهم
ولتاژ گیت-سورس: ±20 ولت
محدوده دمای کاری: 55- تا 175 درجه سانتیگراد
این یک ماسفت N-channel با ولتاژ بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ سریع و با جریان بالا مناسب است.
دیتاشیت : B8NA50
ولتاژ درین – سورس: 500 ولت
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت درین – سورس (RDS(on)) : 1.2 اهم
پکیج : D2PAK (TO-263)
این ماسفت یک IGBT است که دارای دیودهای زنر و مقاومتهای گیت داخلی میباشد. این آیسی برای مدارهای درایور کویل احتراق مناسب است و دارای ولتاژ اشباع پایین می باشد.
دیتاشیت : DGU4520GR
ولتاژ کلکتور – امیتر: 450 ولت
جریان کلکتور: 20 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور – امیتر (Vce(sat)): 1.10 ولت
محدوده دمای کاری: 40- تا 175 درجه سانتی گراد
این یک ماسفت N-Channel با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل قدرت استفاده میشود.
دیتاشیت: JCS10N60FT
جریان درین (Id): 9.5 آمپر
مقاومت روشن (RDS(on)): کمتر از 1 اهم
ولتاژ گیت – سورس (Vgs) : 30 ولت
توان اتلافی: 59.8 وات
دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتیگراد