این ترانزیستور یک MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : 10N60C
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.7 اهم
۵۱,۷۰۰ تومان
این ترانزیستور IGBT با سرعت سوئیچینگ بالا و دیود داخلی RAPID 1 با جریان کامل است و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیتاشیت : K50EES5
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان مداوم: 50 آمپر
محدوده دمای کاری: 40- تا 150 درجه سانتیگراد
این ترانزیستور یک ترانزیستور قدرت NPN است که برای کاربردهای تقویتکننده و سوئیچینگ استفاده میشود.
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce): 100 ولت
جریان کلکتور (Ic): 10 آمپر
توان اتلاف (Ptot): 75 وات
پکیج: TO-220
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتیگراد
این ترانزیستور یک ترانزیستور NPN در پکیج SMD است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت کنندگی عمومی در مدارات الکترونیکی مناسب است.
دیتاشیت : BC846B
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vce) : 65 ولت
جریان کلکتور (Ic) : 100 میلیآمپر
توان تلفاتی : حداکثر 250 میلی وات
محدوده دمای کاری : 65- تا 150 درجه سانتی گراد
این ترانزیستور یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : K794
ولتاژ شکست درین – سورس: 900 ولت
جریان درین: 5 آمپر
توان خروجی: 150 وات
سرعت سوئیچینگ بالا