-
همه دسته بندی ها
- LED
- آنتن
- آی سی-تراشه
- پیچ و اسپیسر
- پین هدر
- ترانزیستور
- ترانس، چوک، فریت، هسته
- ترایاک و تریستور
- ترمینال پیچی و کشویی
- تمام محصولات
- جعبه و کیس بردهای الکترونیکی
- خازن
- دیود
- رگولاتور
- رله
- سگمنت و ماتریس
- سلف
- سوكت، کانکتور، فیش
- سیم و کابل
- فیوز
- قطعات صوتی
- کریستال
- کلید، سوئیچ، کیپد
- ماسفت
- متفرقه
- مقاومت
- میکروکنترلر و پروسسور
- هیت سینک و المان حرارتی
- وریستور
ترانزیستور IRG4IBC30S
این یک ترانزیستور دوقطبی گیت ایزوله (IGBT) است که برای کاربردهایی که نیاز به بازدهی و عملکرد بالا در الکترونیک قدرت دارند طراحی شده است.
دیتاشیت : IRG4IBC30S
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر (Vces) : 600 ولت
جریان کلکتور مداوم (Ic) : 18 آمپر
محدوده دمای عملیاتی: 55- تا 150 درجه سانتی گراد
بهینهسازی شده برای حداقل ولتاژ اشباع و فرکانسهای عملیاتی پایین
محصولات مرتبط
-
این ترانزیستور یک MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : 10N60C
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.7 اهم
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور N-Channel است که برای استفاده در کاربردهای قدرت و سوئیچینگ طراحی شده است.
دیتاشیت : V5036S
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 390 ولت
جریان کلکتور: 46 آمپر
توان اتلافی: 250 وات
بازه دمای کاری: 40- تا 175 درجه سانتیگراد
-
ناموجودناموجودترانزیستور IRF840
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
ویژگیها:
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
-
ناموجودناموجودترانزیستور K50EES5
این ترانزیستور IGBT با سرعت سوئیچینگ بالا و دیود داخلی RAPID 1 با جریان کامل است و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیتاشیت : K50EES5
ویژگیها:
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان مداوم: 50 آمپر
محدوده دمای کاری: 40- تا 150 درجه سانتیگراد
