-
همه دسته بندی ها
- LED
- آنتن
- آی سی-تراشه
- پیچ و اسپیسر
- پین هدر
- ترانزیستور
- ترانس، چوک، فریت، هسته
- ترایاک و تریستور
- ترمینال پیچی و کشویی
- تمام محصولات
- جعبه و کیس بردهای الکترونیکی
- خازن
- دیود
- رگولاتور
- رله
- سگمنت و ماتریس
- سلف
- سوكت، کانکتور، فیش
- سیم و کابل
- فیوز
- قطعات صوتی
- کریستال
- کلید، سوئیچ، کیپد
- ماسفت
- متفرقه
- مقاومت
- میکروکنترلر و پروسسور
- هیت سینک و المان حرارتی
- وریستور
ترانزیستور TIP41C
این ترانزیستور یک ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT) از نوع NPN با توان متوسط است که به طور گستردهای در تقویت توان و کاربردهای سوئیچینگ استفاده میشود.
دیتاشیت : TIP41C
ویژگیها:
جریان کلکتور (Ic) : 6 آمپر
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vceo) : 100 ولت
توان تلفاتی (Pc) : 65 وات
محدوده دما: 65- تا 150 درجه سانتی گراد
محصولات مرتبط
-
ناموجودناموجودترانزیستور IRF840
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
ویژگیها:
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور NPN با توان متوسط است که برای کاربردهای مختلف از جمله رگولاتورهای ولتاژ خطی، درایورهای MOSFET و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت :BCP56
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 80 ولت
جریان کلکتور: 1 آمپر
توان خروجی: 1.35وات
-
ناموجودناموجودماسفت IRF2807S
این یک ماسفت قدرت N-Channel است که برای کاربردهای با بهرهوری بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است که آن را برای منابع تغذیه، مبدلهای DC-DC و مدارهای کنترل موتور مناسب میسازد.
دیتاشیت : IRF2807S
ویژگیها:
ولتاژ شکست درین – سورس (V(BR)DSS) : 75 ولت
مقاومت روشن درین – سورس (RDS(on)) : 13 میلیاهم در VGS = 10V، ID = 43A
جریان پالسی درین (IDM) : 280 آمپر
اتلاف توان: 230 وات در TC = 25°C
محدوده دمای کاری: 55- تا 175درجه سانتی گراد
-
این ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و اینورترها استفاده میشود.
دیتاشیت :IRFP450
ویژگیها:
ولتاژ شکست درین-سورس: 500 ولت
جریان درین: 14 آمپر
مقاومت درین-سورس: 0.4 اهم
توان خروجی: 190 وات
سرعت سوئیچینگ بالا: زمان روشن شدن 17 نانوثانیه و زمان خاموش شدن 92 نانوثانیه
