این ترانزیستور یک MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : 10N60C
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.7 اهم
۵۱,۷۰۰ تومان
این ترانزیستور یک ترانزیستور قدرت NPN است که برای کاربردهای تقویتکننده و سوئیچینگ استفاده میشود.
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce): 100 ولت
جریان کلکتور (Ic): 10 آمپر
توان اتلاف (Ptot): 75 وات
پکیج: TO-220
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتیگراد
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
این ترانزیستور یک ترانزیستور IGBT است که برای کاربردهای احتراق و سوئیچینگ با ولتاژ و جریان بالا طراحی شده است. این ترانزیستور دارای حفاظت در برابر ESD و ولتاژ بیش از حد است.
دیتاشیت : NGD8201N
ولتاژ کلکتور – امیتر: 400 ولت
جریان کلکتور: 20 آمپر (مداوم) ، 50 آمپر (پالسی)
ولتاژ گیت – امیتر : ±15 ولت
بستهبندی: DPAK
این ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و اینورترها استفاده میشود.
دیتاشیت :IRFP450
ولتاژ شکست درین-سورس: 500 ولت
جریان درین: 14 آمپر
مقاومت درین-سورس: 0.4 اهم
توان خروجی: 190 وات
سرعت سوئیچینگ بالا: زمان روشن شدن 17 نانوثانیه و زمان خاموش شدن 92 نانوثانیه