-
همه دسته بندی ها
- LED
- آنتن
- آی سی-تراشه
- پیچ و اسپیسر
- پین هدر
- ترانزیستور
- ترانس، چوک، فریت، هسته
- ترایاک و تریستور
- ترمینال پیچی و کشویی
- تمام محصولات
- جعبه و کیس بردهای الکترونیکی
- خازن
- دیود
- رگولاتور
- رله
- سگمنت و ماتریس
- سلف
- سوكت، کانکتور، فیش
- سیم و کابل
- فیوز
- قطعات صوتی
- کریستال
- کلید، سوئیچ، کیپد
- ماسفت
- متفرقه
- مقاومت
- میکروکنترلر و پروسسور
- هیت سینک و المان حرارتی
- وریستور
ماسفت B8NA50
این یک ماسفت N-channel با ولتاژ بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ سریع و با جریان بالا مناسب است.
دیتاشیت : B8NA50
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس: 500 ولت
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت درین – سورس (RDS(on)) : 1.2 اهم
پکیج : D2PAK (TO-263)
محصولات مرتبط
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور NPN با توان متوسط است که برای کاربردهای مختلف از جمله رگولاتورهای ولتاژ خطی، درایورهای MOSFET و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت :BCP56
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 80 ولت
جریان کلکتور: 1 آمپر
توان خروجی: 1.35وات
-
ناموجودناموجودترانزیستور PJD50N10AL
این ترانزیستور یک ترانزیستور MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : PJD50N10AL
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 100 ولت
جریان درین (Id) : 50 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.022 اهم
پکیج : DPAK
-
ناموجودناموجودترانزیستور K3878
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت N-channel است که معمولا در کاربردهای سوئیچینگ و تنظیم ولتاژ استفاده میشود.
دیتاشیت : K3878
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس: 900 ولت
جریان درین : 9 آمپر
مقاومت درین – سورس (RDS(on)): 1 اهم
توان تلفاتی : 150 وات ( در 25 درجه سانتی گراد )
-
ناموجودناموجودترانزیستور K50EES5
این ترانزیستور IGBT با سرعت سوئیچینگ بالا و دیود داخلی RAPID 1 با جریان کامل است و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیتاشیت : K50EES5
ویژگیها:
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان مداوم: 50 آمپر
محدوده دمای کاری: 40- تا 150 درجه سانتیگراد
