-
همه دسته بندی ها
- LED
- آنتن
- آی سی-تراشه
- پیچ و اسپیسر
- پین هدر
- ترانزیستور
- ترانس، چوک، فریت، هسته
- ترایاک و تریستور
- ترمینال پیچی و کشویی
- تمام محصولات
- جعبه و کیس بردهای الکترونیکی
- خازن
- دیود
- رگولاتور
- رله
- سگمنت و ماتریس
- سلف
- سوكت، کانکتور، فیش
- سیم و کابل
- فیوز
- قطعات صوتی
- کریستال
- کلید، سوئیچ، کیپد
- ماسفت
- متفرقه
- مقاومت
- میکروکنترلر و پروسسور
- هیت سینک و المان حرارتی
- وریستور
آخرین محصولات
-
badge
۱۲,۸۹۰ تومان
-
LED RGB شفاف 5mm کاتد مشترک
۱۲,۰۰۰ تومان
-
بسیسیبیسسیبسی
۳,۱۲۳ تومان
-
خازن 1 نانو فاراد
۱۲۳,۴۲۳ تومان
-
dsgfsdf
۳,۴۲۴ تومان
-
ناموجودترانزیستور K50EES5
این ترانزیستور IGBT با سرعت سوئیچینگ بالا و دیود داخلی RAPID 1 با جریان کامل است و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیتاشیت : K50EES5
ویژگیها:
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان مداوم: 50 آمپر
محدوده دمای کاری: 40- تا 150 درجه سانتیگراد
-
ناموجودترانزیستور K794
این ترانزیستور یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : K794
ویژگیها:
ولتاژ شکست درین – سورس: 900 ولت
جریان درین: 5 آمپر
توان خروجی: 150 وات
سرعت سوئیچینگ بالا
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور IGBT است که برای کاربردهای احتراق و سوئیچینگ با ولتاژ و جریان بالا طراحی شده است. این ترانزیستور دارای حفاظت در برابر ESD و ولتاژ بیش از حد است.
دیتاشیت : NGD8201N
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر: 400 ولت
جریان کلکتور: 20 آمپر (مداوم) ، 50 آمپر (پالسی)
ولتاژ گیت – امیتر : ±15 ولت
بستهبندی: DPAK
-
ناموجودترانزیستور PJD50N10AL
این ترانزیستور یک ترانزیستور MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : PJD50N10AL
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 100 ولت
جریان درین (Id) : 50 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.022 اهم
پکیج : DPAK
-
ناموجودترانزیستور TIP142
این یک ترانزیستور قدرت دارلینگتون NPN است که برای تقویتکنندههای عمومی و کاربردهای سوئیچینگ فرکانس پایین طراحی شده است.
دیتاشیت : TIP142
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vceo) : 100 ولت
جریان کلکتور: 10 آمپر
تلفات توان: 125 وات
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتی گراد
-
این یک ترانزیستور قدرت دارلینگتون PNP است که برای تقویتکنندههای عمومی و کاربردهای سوئیچینگ فرکانس پایین طراحی شده است.
دیتاشیت : TIP147
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vceo) : 100 ولت
جریان کلکتور: 10 آمپر
تلفات توان: 125 وات
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتی گراد
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور NPN پیوندی دو قطبی (BJT) است که برای کاربردهای عمومی از جمله تقویت کنندهها و مدارهای سوئیچینگ طراحی شده است.
دیتاشیت : TIP31C
ویژگیها:
جریان کلکتور (Ic) : 3 آمپر
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vceo) : 100 ولت
توان تلفاتی: 40 وات
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتی گراد
-
ناموجودترانزیستور TIP41C
این ترانزیستور یک ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT) از نوع NPN با توان متوسط است که به طور گستردهای در تقویت توان و کاربردهای سوئیچینگ استفاده میشود.
دیتاشیت : TIP41C
ویژگیها:
جریان کلکتور (Ic) : 6 آمپر
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vceo) : 100 ولت
توان تلفاتی (Pc) : 65 وات
محدوده دما: 65- تا 150 درجه سانتی گراد
-
ناموجودترانزیستور TIP42C
این ترانزیستور یک ترانزیستور PNP قدرت است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندههای خطی استفاده میشود.
دیتاشیت : TIP42C
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vce) : 100 ولت
جریان کلکتور (Ic) : 6 آمپر
توان مصرفی: 65 وات
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور دوقطبی است که شامل یک ترانزیستور NPN و یک ترانزیستور PNP می باشد.
دیتاشیت : UMZ1N
ویژگی ها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (VCEO) : 50 ولت
جریان کلکتور (IC) : 150 میلیآمپر
توان اتلافی: 150 میلیوات
محدوده دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتیگراد
-
این ترانزیستور یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی گیت ایزوله) N-Channel است که برای مدارهای درایور کویل احتراق خودرویی طراحی شده است.
دیتاشیت : V3040D
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 430 ولت
توان تلفاتی : 150 وات (در دمای 25 درجه سانتی گراد)
انرژی: 300 میلی ژول (در دمای 25 درجه سانتیگراد)
محدوده دما : 40- تا 175 درجه سانتی گراد
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور N-Channel است که برای استفاده در کاربردهای قدرت و سوئیچینگ طراحی شده است.
دیتاشیت : V5036S
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 390 ولت
جریان کلکتور: 46 آمپر
توان اتلافی: 250 وات
بازه دمای کاری: 40- تا 175 درجه سانتیگراد
-
ناموجودترانزیستور ماسفت IRF9640S
این ترانزیستور یک ماسفت P-Channel است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکننده در مدارهای الکترونیکی استفاده میشود و به دلیل ویژگیهای سوئیچینگ سریع و مقاومت کم، در مدارهای قدرتی و صنعتی نیز کاربرد دارد.
دیتاشیت : F9640S
ویژگیها:
حداکثر ولتاژ درین – سورس (Vds) : 200 ولت
حداکثر جریان درین (Id) : 11 آمپر
توان مصرفی: 125 وات
دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتیگراد
-
این یک ماسفت N-channel با ولتاژ بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ سریع و با جریان بالا مناسب است.
دیتاشیت : B8NA50
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس: 500 ولت
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت درین – سورس (RDS(on)) : 1.2 اهم
پکیج : D2PAK (TO-263)
-
این ترانزیستور یک ماسفت N-channel با ولتاژ بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل توان استفاده میشود و همچنین دارای مقاومت پایین در حالت روشن و زمان سوئیچینگ سریع می باشد.
دیتاشیت : CS7N60F
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
حداکثر جریان درین : 7 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 1.2 اهم
حداکثر دمای کاری : 150 درجه سانتی گراد
-
این ماسفت یک IGBT است که دارای دیودهای زنر و مقاومتهای گیت داخلی میباشد. این آیسی برای مدارهای درایور کویل احتراق مناسب است و دارای ولتاژ اشباع پایین می باشد.
دیتاشیت : DGU4520GR
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر: 450 ولت
جریان کلکتور: 20 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور – امیتر (Vce(sat)): 1.10 ولت
محدوده دمای کاری: 40- تا 175 درجه سانتی گراد
-
ناموجودماسفت F10N60
این یک ماسفت قدرت N-channel است که دارای ولتاژ و جریان بالا و مقاومت پایین است که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ وکاربردهای قدرت بالا بسیار مناسب میکند.
دیتاشیت : F10N60
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت درین – سورس (Rds(on)) : 0.68 اهم
توان مصرفی: 52 وات
-
این ترانزیستور یک ماسفت قدرت N-channel است که دارای مقاومت پایین و عملکرد سوئیچینگ عالی می باشد و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، اصلاح ضریب توان فعال (PFC) و بالاستهای الکترونیکی استفاده میشود.
دیتاشیت : FQPF 7N60
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 4.3 آمپر
مقاومت درین – سورس (Rds(on)) : 1 اهم
توان مصرفی: 48 وات
-
ناموجودماسفت FTA06N60D
این ترانزیستور یک ماسفت N-Channel است که برای کاربردهای سوئیچینگ با راندمان بالا طراحی شده است.
دیتاشیت : FTA06N60D
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان مداوم درین (Id) : 6 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 1.25 اهم
محدوده دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتی گراد
-
ناموجودماسفت IRF2807S
این یک ماسفت قدرت N-Channel است که برای کاربردهای با بهرهوری بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است که آن را برای منابع تغذیه، مبدلهای DC-DC و مدارهای کنترل موتور مناسب میسازد.
دیتاشیت : IRF2807S
ویژگیها:
ولتاژ شکست درین – سورس (V(BR)DSS) : 75 ولت
مقاومت روشن درین – سورس (RDS(on)) : 13 میلیاهم در VGS = 10V، ID = 43A
جریان پالسی درین (IDM) : 280 آمپر
اتلاف توان: 230 وات در TC = 25°C
محدوده دمای کاری: 55- تا 175درجه سانتی گراد
نمایش 25–48 از 56 نتیجه
