این ترانزیستور یک ترانزیستور IGBT است که برای کاربردهای احتراق و سوئیچینگ با ولتاژ و جریان بالا طراحی شده است. این ترانزیستور دارای حفاظت در برابر ESD و ولتاژ بیش از حد است.
این ترانزیستور یک ماسفت P-Channel است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکننده در مدارهای الکترونیکی استفاده میشود و به دلیل ویژگیهای سوئیچینگ سریع و مقاومت کم، در مدارهای قدرتی و صنعتی نیز کاربرد دارد.
این ترانزیستور یک ماسفت N-channel با ولتاژ بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل توان استفاده میشود و همچنین دارای مقاومت پایین در حالت روشن و زمان سوئیچینگ سریع می باشد.
این ماسفت یک IGBT است که دارای دیودهای زنر و مقاومتهای گیت داخلی میباشد. این آیسی برای مدارهای درایور کویل احتراق مناسب است و دارای ولتاژ اشباع پایین می باشد.
این یک ماسفت قدرت N-channel است که دارای ولتاژ و جریان بالا و مقاومت پایین است که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ وکاربردهای قدرت بالا بسیار مناسب میکند.
این ترانزیستور یک ماسفت قدرت N-channel است که دارای مقاومت پایین و عملکرد سوئیچینگ عالی می باشد و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، اصلاح ضریب توان فعال (PFC) و بالاستهای الکترونیکی استفاده میشود.
این یک ماسفت قدرت N-Channel است که برای کاربردهای با بهرهوری بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است که آن را برای منابع تغذیه، مبدلهای DC-DC و مدارهای کنترل موتور مناسب میسازد.