این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
ویژگیها:
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
جهت ثبت درخواست، شماره موبایل خود را وارد کنید
شماره تماس:
درخواست شما با موفقیت ثبت شد
۱۵,۳۰۰ تومان
این ترانزیستور یک ترانزیستور MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : PJD50N10AL
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 100 ولت
جریان درین (Id) : 50 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.022 اهم
پکیج : DPAK
این ماسفت یک IGBT است که دارای دیودهای زنر و مقاومتهای گیت داخلی میباشد. این آیسی برای مدارهای درایور کویل احتراق مناسب است و دارای ولتاژ اشباع پایین می باشد.
دیتاشیت : DGU4520GR
ولتاژ کلکتور – امیتر: 450 ولت
جریان کلکتور: 20 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور – امیتر (Vce(sat)): 1.10 ولت
محدوده دمای کاری: 40- تا 175 درجه سانتی گراد
این ترانزیستور یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : K794
ولتاژ شکست درین – سورس: 900 ولت
جریان درین: 5 آمپر
توان خروجی: 150 وات
این ماسفت N-channel با سرعت بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای مختلف مانند مبدلهای DC-DC و درایوهای موتور استفاده میشود.
دیتاشیت : K2953
ولتاژ درین – سورس: 600 ولت
جریان درین: 15 آمپر (مداوم) ، 60 آمپر (پالسی)
مقاومت درین – سورس (RDS(on)) : 0.31 اهم