این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
ویژگیها:
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
جهت ثبت درخواست، شماره موبایل خود را وارد کنید
شماره تماس:
درخواست شما با موفقیت ثبت شد
۱۵,۳۰۰ تومان
این ترانزیستور IGBT با سرعت سوئیچینگ بالا و دیود داخلی RAPID 1 با جریان کامل است و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیتاشیت : K50EES5
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان مداوم: 50 آمپر
محدوده دمای کاری: 40- تا 150 درجه سانتیگراد
این آیسی یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-channel است که برای کاربردهای خودرویی و صنعتی طراحی شده است.
دیتاشیت : NGD8201AG
ولتاژ درین-سورس (Vds): تا 30 ولت
جریان درین (Id): تا 24 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): کم، که به کاهش تلفات توان و افزایش بهرهوری کمک میکند
زمان سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا
پکیج : DPAK، مناسب برای نصب سطحی (SMD) و دارای قابلیت دفع حرارتی خوب
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت N-channel است که معمولا در کاربردهای سوئیچینگ و تنظیم ولتاژ استفاده میشود.
دیتاشیت : K3878
ولتاژ درین – سورس: 900 ولت
جریان درین : 9 آمپر
مقاومت درین – سورس (RDS(on)): 1 اهم
توان تلفاتی : 150 وات ( در 25 درجه سانتی گراد )
این ترانزیستور یک ترانزیستور N-Channel است که برای استفاده در کاربردهای قدرت و سوئیچینگ طراحی شده است.
دیتاشیت : V5036S
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 390 ولت
جریان کلکتور: 46 آمپر
توان اتلافی: 250 وات
بازه دمای کاری: 40- تا 175 درجه سانتیگراد