این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
ویژگیها:
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
جهت ثبت درخواست، شماره موبایل خود را وارد کنید
شماره تماس:
درخواست شما با موفقیت ثبت شد
۱۵,۳۰۰ تومان
این ترانزیستور یک ماسفت P-Channel است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکننده در مدارهای الکترونیکی استفاده میشود و به دلیل ویژگیهای سوئیچینگ سریع و مقاومت کم، در مدارهای قدرتی و صنعتی نیز کاربرد دارد.
دیتاشیت : F9640S
حداکثر ولتاژ درین – سورس (Vds) : 200 ولت
حداکثر جریان درین (Id) : 11 آمپر
توان مصرفی: 125 وات
دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتیگراد
این ترانزیستور IGBT با سرعت سوئیچینگ بالا و دیود داخلی RAPID 1 با جریان کامل است و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیتاشیت : K50EES5
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان مداوم: 50 آمپر
محدوده دمای کاری: 40- تا 150 درجه سانتیگراد
این آیسی یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-channel است که برای کاربردهای خودرویی و صنعتی طراحی شده است.
دیتاشیت : NGD8201AG
ولتاژ درین-سورس (Vds): تا 30 ولت
جریان درین (Id): تا 24 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): کم، که به کاهش تلفات توان و افزایش بهرهوری کمک میکند
زمان سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا
پکیج : DPAK، مناسب برای نصب سطحی (SMD) و دارای قابلیت دفع حرارتی خوب
این ماسفت N-channel با سرعت بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای مختلف مانند مبدلهای DC-DC و درایوهای موتور استفاده میشود.
دیتاشیت : K2953
ولتاژ درین – سورس: 600 ولت
جریان درین: 15 آمپر (مداوم) ، 60 آمپر (پالسی)
مقاومت درین – سورس (RDS(on)) : 0.31 اهم