-
همه دسته بندی ها
- LED
- آنتن
- آی سی-تراشه
- پیچ و اسپیسر
- پین هدر
- ترانزیستور
- ترانس، چوک، فریت، هسته
- ترایاک و تریستور
- ترمینال پیچی و کشویی
- تمام محصولات
- جعبه و کیس بردهای الکترونیکی
- خازن
- دیود
- رگولاتور
- رله
- سگمنت و ماتریس
- سلف
- سوكت، کانکتور، فیش
- سیم و کابل
- فیوز
- قطعات صوتی
- کریستال
- کلید، سوئیچ، کیپد
- ماسفت
- متفرقه
- مقاومت
- میکروکنترلر و پروسسور
- هیت سینک و المان حرارتی
- وریستور
آخرین محصولات
-
badge
۱۲,۸۹۰ تومان
-
LED RGB شفاف 5mm کاتد مشترک
۱۲,۰۰۰ تومان
-
بسیسیبیسسیبسی
۳,۱۲۳ تومان
-
خازن 1 نانو فاراد
۱۲۳,۴۲۳ تومان
-
dsgfsdf
۳,۴۲۴ تومان
-
این آیسی یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-channel است که برای کاربردهای خودرویی و صنعتی طراحی شده است.
دیتاشیت : NGD8201AG
ویژگیها:
ولتاژ درین-سورس (Vds): تا 30 ولت
جریان درین (Id): تا 24 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): کم، که به کاهش تلفات توان و افزایش بهرهوری کمک میکند
زمان سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا
پکیج : DPAK، مناسب برای نصب سطحی (SMD) و دارای قابلیت دفع حرارتی خوب
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور NPN در پکیج SMD است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت کنندگی عمومی در مدارات الکترونیکی مناسب است.
دیتاشیت : BC846B
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vce) : 65 ولت
جریان کلکتور (Ic) : 100 میلیآمپر
توان تلفاتی : حداکثر 250 میلی وات
محدوده دمای کاری : 65- تا 150 درجه سانتی گراد
-
این ترانزیستور یک MOSFET با ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت : 10N60C
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 600 ولت
جریان درین (Id) : 10 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)) : 0.7 اهم
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور قدرت NPN است که برای کاربردهای تقویتکننده و سوئیچینگ استفاده میشود.
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce): 100 ولت
جریان کلکتور (Ic): 10 آمپر
توان اتلاف (Ptot): 75 وات
پکیج: TO-220
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتیگراد
-
ناموجودترانزیستور 2SA1213
این یک ترانزیستور قدرت PNP می باشد که برای تقویتکنندههای قدرت و کاربردهای سوئیچینگ با سرعت بالا طراحی شده است.
دیتاشیت : 2SA1213
ویژگی ها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (VCEO) : 50- ولت
جریان کلکتو (IC) : 2- آمپر
پاسخ فرکانسی (fT) : 120 مگاهرتز
محدوده دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتی گراد
-
یک ترانزیستور PNP سیلیکونی اپیتاکسیال است که برای کاربردهای تقویتکننده صوتی و مدارهای قدرت متوسط طراحی شده است. این ترانزیستور در پکیج SOT-223 عرضه میشود که برای کاربردهای نصب سطحی مناسب است.
دیتاشیت : BCP53
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO) : 80 ولت
ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO) : 100- ولت
ولتاژ امیتر-بیس (VEBO) : 5- ولت
جریان کلکتور (IC) : 1 آمپر
توان تلفاتی: 1.5 وات
محدوده دمای کاری: 65- تا 150 درجه سانتیگراد
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور NPN با توان متوسط است که برای کاربردهای مختلف از جمله رگولاتورهای ولتاژ خطی، درایورهای MOSFET و تقویتکنندهها استفاده میشود.
دیتاشیت :BCP56
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر: 80 ولت
جریان کلکتور: 1 آمپر
توان خروجی: 1.35وات
-
ناموجودترانزیستور DTA114YUA/54
این یک ترانزیستور دیجیتال PNP با مقاومتهای داخلی است و معمولاً در مدارهای سوئیچینگ، مدارهای معکوسکننده، مدارهای رابط و مدارهای درایور استفاده میشوند.
دیتاشیت : DTA114YUA
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (VCEO) : 50- ولت
جریان کلکتور (Io) : 100- میلیآمپر
تلفات کالکتور: 0.2 وات
محدوده دما: 55- تا 150 درجه سانتیگراد
-
ناموجودترانزیستور DTC114YUA/64
این یک ترانزیستور دیجیتال NPN با مقاومتهای داخلی است که برای کاربردهایی که نیاز به مصرف کم انرژی دارند ایدهآل می باشد و همچنین برای استفاده در کاربردهای سوئیچینگ دیجیتال نیز مناسب است.
دیتاشیت : DTC114YUA
ویژگیها:
ولتاژ تغذیه: 50 ولت
ولتاژ ورودی: 6- تا 40 ولت
جریان خروجی: 100 میلی آمپر
توان تلفاتی: 0.2 وات
محدوده دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتی گراد
-
ناموجودترانزیستور GW38IH130D
این ترانزیستور یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی گیت ایزوله) بسیار سریع می باشد که برای کاربردهای رزونانسی یا سوئیچینگ نرم بسیار مناسب است.
دیتاشیت : GW38IH130D
ویژگیها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (Vces) : 1300 ولت
حداکثر جریان کلکتور: 30 آمپر
محدوده دمای عملکردی: 55- تا 150 درجه سانتی گراد
ولتاژ اشباع پایین
-
این ترانزیستور یک ترانزیستور دوقطبی است که شامل یک ترانزیستور NPN و یک ترانزیستور PNP می باشد.
دیتاشیت : IMZ1A
ویژگی ها:
ولتاژ کلکتور – امیتر (VCEO) : 50 ولت
جریان کلکتور (IC) : 150 میلیآمپر
توان اتلافی: 300 میلیوات
محدوده دمای کاری: 55- تا 150 درجه سانتیگراد
-
ناموجودترانزیستور IRF3205
این ترانزیستور یک ماسفت N-channel با ولتاژ و جریان بالا است که در کاربردهای قدرت مانند اینورترها، مبدلهای DC-DC و کنترل سرعت موتور استفاده میشود. این ماسفت به دلیل مقاومت پایین و سرعت سوئیچینگ بالا، برای کاربردهای سوئیچینگ بسیار مناسب است.
دیتاشیت : IRF3205
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس (Vds) : 55 ولت
جریان درین (Id) : 110 آمپر
مقاومت درین – سورس (Rds(on)) : 0.008 اهم
توان مصرفی: 200 وات
-
ناموجودترانزیستور IRF540N
این ترانزیستور یک ماسفت N-Channel است که برای کاربردهای مختلف الکترونیکی و قدرتی استفاده میشود. این قطعه به دلیل مقاومت کم و سرعت سوئیچینگ بالا، در مدارهای قدرتی و صنعتی بسیار محبوب است.
دیتاشیت : IRF540N
ویژگیها:
حداکثر ولتاژ درین – سورس (Vds) : 100 ولت
حداکثر جریان درین (Id) : 33 آمپر
توان مصرفی: 130 وات
دمای کاری: 55- تا 175 درجه سانتیگراد
-
ناموجودترانزیستور IRF840
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت با ولتاژ شکست 500 ولت است و برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و جریانهای بالا مناسب است.
دیتاشیت : IRF840
ویژگیها:
جریان درین: 8 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 0.85 اهم
سرعت سوئیچینگ بالا
-
این یک ترانزیستور دوقطبی گیت ایزوله (IGBT) است که برای کاربردهایی که نیاز به بازدهی و عملکرد بالا در الکترونیک قدرت دارند طراحی شده است.
دیتاشیت : IRG4IBC30S
ویژگیها:
ولتاژ شکست کلکتور – امیتر (Vces) : 600 ولت
جریان کلکتور مداوم (Ic) : 18 آمپر
محدوده دمای عملیاتی: 55- تا 150 درجه سانتی گراد
بهینهسازی شده برای حداقل ولتاژ اشباع و فرکانسهای عملیاتی پایین
-
ناموجودترانزیستور K3878
این ترانزیستور یک MOSFET قدرت N-channel است که معمولا در کاربردهای سوئیچینگ و تنظیم ولتاژ استفاده میشود.
دیتاشیت : K3878
ویژگیها:
ولتاژ درین – سورس: 900 ولت
جریان درین : 9 آمپر
مقاومت درین – سورس (RDS(on)): 1 اهم
توان تلفاتی : 150 وات ( در 25 درجه سانتی گراد )
-
ناموجودترانزیستور K40EH5A
این ترانزیستور یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق) با سرعت بالا است که برای کاربردهای قدرت بالا مانند مبدلهای خورشیدی و UPS استفاده میشود.
دیتاشیت : K40EH5A
ویژگیها:
ولتاژ شکست: 650 ولت
جریان کلکتور: 40 آمپر
دمای پیوند حداکثر: 175 درجه سانتیگراد
سرعت سوئیچینگ بالا
نمایش 1–24 از 56 نتیجه
